Spektralanalyse Hafnium-Dioxid/Hafnium-Oxid Hfo2 Cas kein 12055-23-1

 

       Hafnium (HfO2) ist ein Breitbandabstand und eine hohe Dielektrizitätskonstante von Keramik, vor kurzem auf dem Gebiet von Mikroelektronik der Industrie besonders ist extrem Aufmerksamkeit, weil es höchstwahrscheinlich ist, die gegenwärtige Silikon-ansässige integrierte Schaltung der Kernkomponenten des dielektrischen Silikons Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Rohr (MOSFET)-Tors (SiO2) zu ersetzen, zwecks den MOSFET in der Entwicklung der traditionellen Struktur von SiO2-/Sigröße zu lösen Grenze.

 

1, molekulare Formel: HfO2

2. Molekulargewicht: 210,6

3. Auftritt: weiße oder graue Scheiben, Partikel

4. Dichte: 9.68g/cm3

5, Schmelzpunkt: 2850 Grade Celsius

6. Verdampfungsdruck

Bei 2678 C, 1Pa

Bei 2875 C, 10Pa

7. Der Koeffizient der linearen Expansion: 5,6 x 10-6/K

8. Löslichkeit: unlöslich im Wasser

8, Reinheit: 99,99

9. Filmeigenschaften:

Helle Beförderungsstrecke von 220 zu 12000Nm

Brechungskoeffizient (250nm) | 2,15

(500nm) | 2

10. Die Zustand der Verdampfung:

Elektronisches Gewehr

Sauerstoffpartialdruck bis 1~2 x 10-2Pa

Verdampfungstemperatur zu 2600~2800 Graden Celsius

Substrattemperatur zu 250 Graden Celsius

Verdunstungsrate 2nm/s

Einsatzbereich: UVantireflexionsfilm, Störungsmembran

 

 

EINZELTEIL			SPEZIFIKATIONEN			TESTERGEBNISSE
HfO2+Zr (%, Minute)			Minute 99,9%			passen Sie sich an
REverunreinigungen (%, maximal)
F.E.			0,0002			passen Sie sich an
Al			0,0001			passen Sie sich an
Si			0,002			passen Sie sich an
Ti			0,01			passen Sie sich an
B			0,0025			passen Sie sich an
Pb			0,001			passen Sie sich an
CD			0,0001			passen Sie sich an
Cu			0,002			passen Sie sich an
Cr			0,005			passen Sie sich an
Magnesium			0,001			passen Sie sich an
MO			0,001			passen Sie sich an
Mangan			0,001			passen Sie sich an
Ni			0,0015			passen Sie sich an
Sn			0,002			passen Sie sich an
V			0,001			passen Sie sich an
L.O.I (1100℃)			1			passen Sie sich an
Anderer Index
Teilchengröße (Millimeter)			0.1-3			passen sich an